Hersteller Produktnummer:
2N3117 PBFREE
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
2N3117 PBFREE-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 0.05A TO18
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 50 mA 360 mW Through Hole TO-18
Inventar:
12789151
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Menge
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2N3117 PBFREE Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
350mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
250 @ 10µA, 5V
Leistung - Max
360 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-18
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2N3117 LEAD FREE
2N3117-DG
2N3117
1514-2N3117PBFREE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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